低待机功耗：M5579P通过特别的低功耗间歇工作模式设计不仅可以让整个系统在空载的状态下轻易达到国际能源机构最新的推荐标准，而且允许系统在较轻负载 (约1/30 满载以下) 的情况下同样具有超低耗的性能。

▲无噪声工作：使用M5579P 设计的电源无论在空载，轻载和满载的情况下都不会产生音频噪声。优化的系统设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。

▲ 更低启动电流：M5579P VIN/VDD 启动电流低至4uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时间。

▲ 更低工作电流：M5579P 的工作电流约为2.3mA，可有效降低系统的损耗，提高系统的效率。

▲ 内置前沿消隐：内置前沿消隐（LEB），可以为系统节省了一个外部的R-C 网络，降低系统成本。

▲ 内置OCP 补偿：M5579P 内置了OCP 补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得全电压范围内系统的OCP 曲线趋向平坦，提高系统的性价比。

▲ 完善的保护功能：M5579P 集成了较完善的保护功能模块。OVP，UVLO，OCP，恒定的OPP 和外部可调节的OTP 功能可以使系统设计简洁可靠，同时满足安规的要求。

▲ MOSFET 软驱动：可有效的改善系统的EMI。

▲ 较少的外围器件：M5579P 外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。

▲ M5579P优良的EMI 特性：M5579P 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统

的EMI 特性，同时可以降低系统的EMI 成本。